安陽盛達合金材料有限公司

碳化硅的硬度很大,莫氏硬度為9.5級，僅次于硬的金剛石（10級），具有優良的導熱性能，是一種半導體，高溫時能化。碳化硅至少有70種結晶型態。α-碳化硅為常見的一種同質異晶物，在高于2000 °C高溫下形成，具有六角晶系結晶構造（似纖維鋅礦）。β-碳化硅，立方晶系結構，與鉆石相似，則在低于2000 °C生成，結構如頁面附圖所示。

碳化硅廠家生產的碳化硅為什么是第三代半導體重要的材料呢？

一、碳化硅器件的優勢特性

碳化硅（SiC）是目前發展成熟的寬禁帶半導體材料，對SiC的研究非常重視，紛紛投入大量的人力物力積極發展，美國、歐洲、日本等不僅從國家層面上制定了相應的研究規劃，而且一些國際電子業巨頭也都投入巨資發展碳化硅半導體器件。

二、與普通硅相比，采用碳化硅的元器件有如下特性：

1、高壓特性

碳化硅器件是同等硅器件耐壓的10倍，碳化硅肖特基管耐壓可達2400V。碳化硅場效應管耐壓可達數萬伏，且通態電阻并不很大。

2、高頻特性

3、高溫特性

經過近幾年的發展，碳化硅系列產品已經被推廣到更多的領域當中，可見碳化硅在市場發展中的重要性。

          尤其是在煉鋼、鑄造行業中，碳化硅顯示出了重要的地位，碳化硅在不同的冶煉環境下可以增硅、增碳、提溫、脫氧等作用。隨著市場的試驗、推廣、應用、大家發現，碳化硅在使用方面和硅鐵有一定的相似之處。

            那么碳化硅為什么能更好的代替硅鐵呢？今天我們就來看看

            1.碳化硅成本低、硅鐵的價格要比碳化硅的價格貴三分之之一。

            2.碳化硅球（1.2）=硅鐵（1），兩者使用比例相差不大，介于價格的緣故，使用碳化硅更有效，大大降低了煉鋼合金成本。

             3.碳化硅可以增硅、增碳、脫氧（強力的脫氧作用，凈化鐵水）等效果，減少增碳劑的使用量。

             4.碳化硅的使用方法也比較簡單，一般同爐料和廢鋼一起加入隨著熔煉即可。

             5.通過使用碳化硅，鑄件的縮松縮孔現象明顯的減少了很多，提高了鑄件的質量。