
碳化硅的硬度很大,莫氏硬度為9.5級,僅次于硬的金剛石(10級),具有優良的導熱性能,是一種半導體,高溫時能化。碳化硅至少有70種結晶型態。α-碳化硅為常見的一種同質異晶物,在高于2000 °C高溫下形成,具有六角晶系結晶構造(似纖維鋅礦)。β-碳化硅,立方晶系結構,與鉆石相似,則在低于2000 °C生成,結構如頁面附圖所示。






一、碳化硅器件的優勢特性
碳化硅(SiC)是目前發展成熟的寬禁帶半導體材料,對SiC的研究非常重視,紛紛投入大量的人力物力積極發展,美國、歐洲、日本等不僅從國家層面上制定了相應的研究規劃,而且一些國際電子業巨頭也都投入巨資發展碳化硅半導體器件。
二、與普通硅相比,采用碳化硅的元器件有如下特性:
1、高壓特性
碳化硅器件是同等硅器件耐壓的10倍,碳化硅肖特基管耐壓可達2400V。碳化硅場效應管耐壓可達數萬伏,且通態電阻并不很大。
2、高頻特性
3、高溫特性

經過近幾年的發展,碳化硅系列產品已經被推廣到更多的領域當中,可見碳化硅在市場發展中的重要性。
尤其是在煉鋼、鑄造行業中,碳化硅顯示出了重要的地位,碳化硅在不同的冶煉環境下可以增硅、增碳、提溫、脫氧等作用。隨著市場的試驗、推廣、應用、大家發現,碳化硅在使用方面和硅鐵有一定的相似之處。
那么碳化硅為什么能更好的代替硅鐵呢?今天我們就來看看
2.碳化硅球(1.2)=硅鐵(1),兩者使用比例相差不大,介于價格的緣故,使用碳化硅更有效,大大降低了煉鋼合金成本。
3.碳化硅可以增硅、增碳、脫氧(強力的脫氧作用,凈化鐵水)等效果,減少增碳劑的使用量。
4.碳化硅的使用方法也比較簡單,一般同爐料和廢鋼一起加入隨著熔煉即可。
5.通過使用碳化硅,鑄件的縮松縮孔現象明顯的減少了很多,提高了鑄件的質量。